原標題：突破性第三代半導體材料！碳化硅利好消息密集催化，產業鏈上市公司梳理

　　財聯社1月14日訊（編輯 ）碳化硅領域近期利好消息不斷，據財聯社不完全統計，包括本周一至周三拿下三連板的東尼電子簽大單三年交付量劍指90萬片和芯片大廠英飛凌擴大碳化硅材料采購等；具體匯總如下表。

　　碳化硅（Sic）是突破性第三代半導體材料，與前兩代半導體材料相比，以碳化硅制成的器件擁有良好的耐熱性、耐壓性和極低的導通能量損耗，是制造高壓功率器件與高功率射頻器件的理想材料。碳化硅下游應用包括新能源、光伏、儲能、通信等領域。

　　東方財富證券周旭輝表示，主流車廠加速布局800V平臺及碳化硅模塊，800V強勢催化打開碳化硅廣闊空間。據Yole預計，全球碳化硅功率半導體市場規模將從2021年的11億美元（73.98億人民幣）增長至2027年的63億美元（423.75億人民幣），復合增速超過34%。

　　中國銀河證券分析師高峰等12月13日發布的研報指出，從產業鏈層面初步劃分，整個SiC產業鏈主要分為設備、襯底、外延、設計、器件和封裝模塊，國內多數廠家僅從事產業鏈部分環節，例如天岳先進專注襯底材料的演進，東莞天域和瀚天天成對外延部分研究比較深入，國內多家功率器件企業如三安光電、士蘭微等已入局SiC賽道。

　　碳化硅行業三個重點環節（襯底、外延和器件）中，襯底在產業鏈中價值量占比最高，接近50%。海通證券分析師余偉民2022年12月31日發布的研報指出，襯底是碳化硅產業鏈的核心，襯底行業的發展也是未來碳化硅產業降本、大規模產業化的主要驅動力。

　　余偉民指出，目前碳化硅襯底市場以海外廠商為主導，國內企業市場份額較小。國內尺寸迭代較海外廠商略慢一籌，但近年來發展提速明顯。山西爍科為首家宣布可制備8英寸SiC襯底。截至2022年11月，晶盛機電、天岳先進、天科合達分別宣布掌握8英寸碳化硅襯底制備技術。我們認為，隨著國內襯底產品日益成熟、擴產進度逐漸加速，中國襯底廠商有望重塑行業格局，未來在碳化硅襯底環節占領一席之地。

　　根據華經產業研究院援引Yole數據，2020年上半年，碳化硅襯底市場（半絕緣和導電型）Wolfspeed市占率達到45%以上，國內龍頭天科合達和天岳先進的合計市場份額不到10%。天岳先進、爍科晶體（中電科孵化）、同光（中科院半導體所孵化）現有主要產品為高純半絕緣襯底，而天科合達（中科院物理所孵化）、世紀主要產品為導電型襯底。

　　據方正證券測算，2026年全球SiC襯底有效產能為330萬片，距同年629萬片的襯底需求量仍有較大差距。在業內形成穩定且較高的良率規模化出貨前，整個行業都將持續陷于供不應求。

　　近年來，半絕緣型及導電型襯底的單價都在逐年遞減，余偉民預計隨著全球產能擴張逐步落地，未來3年內襯底單價將會繼續下降，從而有助于加速碳化硅的滲透率整體提升。

　　碳化硅器件方面，國泰君安證券分析師王聰等2022年11月16日發布的研報指出，海外巨頭模式多樣，壟斷全球碳化硅器件市場。根據Yole數據，2020年全球碳化硅功率器件市場份額中，ST為40.5%，Wolfspeed為14.9%，羅姆為14.4%，英飛凌為13.3%，安森美為7.7%。

　　王聰指出，國內廠商積極布局，著力尋找器件市場突破空間。下游廠商對碳化硅器件穩定性要求較高，驗證周期較長，國內廠商切入過程較慢碳化硅，現有規模相對較小。但隨著新能源車、光伏、儲能、智能電網等下游應用領域持續高景氣，以士蘭微噴砂機視頻，、斯達半導體、華潤微、三安光電為代表的國內廠商持續布局碳化硅器件產線，積極尋找突破空間。其他國內碳化硅器件公司主要包括時代電氣、振華科技、泰科天潤、芯粵能等。

　　高峰指出，在SiC生產應用方面，國內實力在不斷強化。華潤微于2020年7月實現國內首條商用6寸SiC生產線片/月；新潔能亦在第三代半導體投入巨大，目前已掌握多項相關專利，并將重點布局新能源汽車應用領域，計劃推出SiC二極管系列產品。

　　本土功率半導體產業鏈有望加速產品的市場拓展，提升產品的價值量或出貨量，充分受益于此次利好行情，高峰關注東微半導、士蘭微、斯達半導、時代電氣、聞泰科技、揚杰科技、三安光電等。

　　關鍵技術節點上還有待突破，產品良率與性能均弱于海外競品，短期內本土化難度大。此外，據業內消息人士稱，盡管全球碳化硅襯底短缺，但2022年地區碳化硅襯底價格已下降了15%，預計2023年價格將趨于穩定。返回搜狐，查看更多